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V DD = 28 Vdc, I DQ1B = 120 mA, I DQ2B = 450 mA
f
MHz
Max P out (1)
Watts dBm
Z in
?
Z load
?
1805
1840
1880
68
69
74
48.3
48.4
48.7
56.20 + j3.50
60.80 -- j6.10
57.90 -- j12.00
2.79 -- j5.39
2.81 -- j5.45
2.41 -- j5.63
(1) Maximum output power measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Z in
= Device input impedance as measured from gate to ground.
Z load = Test circuit impedance as measured from drain to ground.
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Z
in
Z
load
Figure 12. Maximum Output Power — Doherty Load Pull Optimization for Carrier Side
V DD = 28 Vdc, I DQ1B = 120 mA, I DQ2B = 450 mA
f
MHz
1805
1840
1880
Max Eff. (1)
%
53.3
53.4
54.0
Z in
?
56.20 + j3.50
60.80 -- j6.10
57.90 -- j12.00
Z load
?
4.10 -- j4.49
3.74 -- j4.54
3.65 -- j4.55
(1) Maximum efficiency measurement reflects pulsed 1 dB gain compression.
Z in
= Device input impedance as measured from gate to ground.
Z load = Test circuit impedance as measured from drain to ground.
Device
Under Test
Output
Matching
Network
Z
in
Z
load
Figure 13. Maximum Efficiency — Doherty Load Pull Optimization for Carrier Side
MD7IC18120NR1 MD7IC18120GNR1
RF Device Data
Freescale Semiconductor
9
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